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NAND flash Samsung 0

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Nueva memoria Original DDR3 4GB 512M * 8 1866Mbps IC Chip Flash 78FBGA de circuito integrado electrónico de la tarjeta de circuito integrado
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Nueva memoria Original DDR3 4GB 512M * 8 1600Mbps IC Chip Flash 78FBGA de circuito integrado electrónico de la tarjeta de circuito integrado
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Nueva memoria Original DDR3 4GB 512M * 8 1333Mbps IC Chip Flash 78FBGA de circuito integrado electrónico de la tarjeta de circuito integrado
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Chip IC Flash 96FBGA, Memoria DDR3, 2GB, 1600Mbps, 1 unidad, circuito electrónico integrado, nuevo, original, Samsung, DDR3, 2GB
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Chip IC de memoria DDR4 original, 4Gb, 3200Mbps, 256Mx16, 96FBGA, circuitos integrados, componentes electrónicos
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Chip IC de memoria DDR4 original, 4Gb, 2666Mbps, 256Mx16, 96FBGA, circuitos integrados, componentes electrónicos
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Chip IC de memoria DDR4 original, 4Gb, 2400Mbps, 256Mx16, 96FBGA, circuitos integrados, componentes electrónicos
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Pedido mínimo: 100 piezas
Chip IC de Memoria DDR4, Componentes Electrónicos Originales, DDR4, 4Gb, 3200Mbps, 512Mx8, 78FBGA, Circuitos Integrados
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Pedido mínimo: 100 piezas

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