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Mosfets de potencia Fuji

(19 productos disponibles)

FMH28N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017
FMH28N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017

FMH28N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017

1,22-1,32 €
Pedido mínimo: 10 piezas
IRFPE30PBF TO-247 Vishay <span class=keywords><strong>Power</strong></span> MOS FET = LYS
IRFPE30PBF TO-247 Vishay <span class=keywords><strong>Power</strong></span> MOS FET = LYS

IRFPE30PBF TO-247 Vishay Power MOS FET = LYS

0,1311 €
Envío por pieza: 11,35 €
Pedido mínimo: 1 pieza
FMH09N90E NUEVO Original MOSFET TRANSISTOR DE TO-3P
FMH09N90E NUEVO Original MOSFET TRANSISTOR DE TO-3P
FMH09N90E NUEVO Original MOSFET TRANSISTOR DE TO-3P

FMH09N90E NUEVO Original MOSFET TRANSISTOR DE TO-3P

0,8894-0,983 €
Pedido mínimo: 10 piezas
FMH23N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017
FMH23N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017
FMH23N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017

FMH23N50E NUEVO TRANSISTOR DE MOSFET Original DE 2017

0,9362-1,03 €
Pedido mínimo: 10 piezas
STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR
STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR
STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR
STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR
STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR
STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR

STOCK buena calidad 7MBP50RA120 50A 1200V IGBT MÓDULO DE POTENCIA Transistor DIODO Tiristor SCR

30,90-32,77 €
Pedido mínimo: 1 pieza
Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales
Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales
Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales
Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales
Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales
Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales

Módulo IGBT de alta potencia, transistor MOSFET de potencia 100a 200a 300a 400a 600V 1200V, Chip IGBT, nuevos componentes electrónicos originales

18,73-74,90 €
Pedido mínimo: 1 pieza
2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor <span class=keywords><strong>Fuji</strong></span> MOSFET de potencia de silicio de canal N
2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor <span class=keywords><strong>Fuji</strong></span> MOSFET de potencia de silicio de canal N
2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor <span class=keywords><strong>Fuji</strong></span> MOSFET de potencia de silicio de canal N
2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor <span class=keywords><strong>Fuji</strong></span> MOSFET de potencia de silicio de canal N
2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor <span class=keywords><strong>Fuji</strong></span> MOSFET de potencia de silicio de canal N
2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor <span class=keywords><strong>Fuji</strong></span> MOSFET de potencia de silicio de canal N

2SK3505-01MR 2SK3502-01MR Motor Fuji MOSFET de potencia de silicio de canal N

0,0188 €
Pedido mínimo: 1 unidad
STOCK Precio bajo para el MÓDULO IGBT 927566 nuevo y original

STOCK Precio bajo para el MÓDULO IGBT 927566 nuevo y original

0,9362-9,37 €
Pedido mínimo: 1 pieza

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