Tipo de montaje
Through Hole
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo
IC CHIP, Field-Effect Transistor
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uso
General de amplificación
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia
Referencia cruzada
original
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
品名
MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Standard
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Standard
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
Standard
Corriente de colector de corte (Max)
Standard
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Standard
-Frecuencia de transición
Standard
Temperatura de funcionamiento
Original
Resistencia Base (R1)
Standard
Resistencia-emisor Base (R2)
Standard
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
200mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1400pF @ 25V
Corriente nominal (en amperios)
a
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Tensión de salida-salida
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-