Descripción
Transistor de poder del RF del silicio de NPN
PAQUETE/cubierta
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d/c
Código de fecha más reciente
Tipo de Proveedor
Fabricante original, Agencia, Minorista
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
Transistor Mosfet N-CH
Corriente de colector (Ic) (máx.)
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-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
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Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
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-Frecuencia de transición
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Temperatura de funcionamiento
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Tipo de Montaje
A través del orificio
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
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FET característica
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Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
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Rds (Max) @ Id Vgs
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Vgs (th) (Max) @ Id
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La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
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Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Corriente nominal (en amperios)
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Potencia de salida
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-Tensión nominal
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Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
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Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
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Número de parte
2SC1971 C1971
Código de Fecha
Código de fecha más reciente
Condición
Nuevos productos originales de fábrica
Cantidad mínima del pedido (MOQ, por sus siglas en inglés)
1 PC
