Transistor Igbt 40N60NPFD To-3p, transistor 40n60, igbt 40n60, Mosfet, circuito integrado, 40N60NPFD, Original, nuevo
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
40N60NPFD
Tipo
IGBT Transistor
Marca
Original Brand
Tipo de paquete
Montaje superficial
Otros atributos
Descripción
Triodo
Lugar del origen
Guangdong, China
Serie
/
d/c
Más reciente
Uso
Propósito general
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
Estándar
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
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Corriente de colector de corte (Max)
Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
Estándar
-Frecuencia de transición
Estándar
Tipo de Montaje
Estándar
Resistencia Base (R1)
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Resistencia-emisor Base (R2)
Estándar
FET tipo
Estándar
FET característica
Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
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Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
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Frecuencia
Estándar
Corriente nominal (en amperios)
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Ruido
Estándar
Potencia de salida
Estándar
-Tensión nominal
Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Estándar
Vgs (Max)
Estándar
Tipo IGBT de
Estándar
Configuración
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Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
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De entrada
Estándar
Termistor NTC
Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Estándar
Corriente de drenaje (Id).
Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Estándar
Resistencia-On (RDS)
Estándar
Tensión de salida-salida
Estándar
-Tensión Offset (Vt)
Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Estándar
Corriente de Valle Iv)
Estándar
Corriente de pico
Estándar
Nombre del producto
Componente electrónico
Stock
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