Tipo de montaje
A través del agujero
Descripción
SJ-FET de proceso Multi-Epi, Carga baja de la puerta, Prueba de avalancha 100%, Rendimiento de conmutación superior, Baja en-resistencia excepcional
Lugar del origen
Zhejiang, China
Temperatura de funcionamiento
-55 ℃ ~ + 150 ℃
Uso
Diversa Conversión de poder de AC/DC
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto
品名
MOSFET del poder del canal N de AKT18N80Q 800V 18A
Corriente de colector (Ic) (máx.)
18.4A(TC = 25 ℃), 11.6A(TC = 100 ℃)
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
850V
Corriente de colector de corte (Max)
18.4A
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C
Tipo de Montaje
A través del orificio
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
800V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
18.4A
Rds (Max) @ Id Vgs
260 miliohmios
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
27.5nC
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Información sobre 1290pF
Corriente nominal (en amperios)
18A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
-30V + 30V
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
800V
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
1uA
Corriente de drenaje (Id).
18.4A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
± 30V
Resistencia-On (RDS)
220 miliohm
-Tensión Offset (Vt)
± 30V
Corriente de Valle Iv)
11.6A
Aplicaciones
Diversa conversión de potencia AC/DC en modo de conmutación.
Tipo de Transistor
Transistor MOSFET, Canal N, Unión Super
Corriente de drenaje (TC = 25 ℃)
18.4A
Corriente de drenaje (TC = 100 ℃)
11.6A
Energía de avalancha de pulso único
485mJ
Disipación de potencia máxima (TC = 25 ℃)
151W
Tiempo de retardo de apagado
139ns
Carga total de la puerta
27.5nC
Uso
Diversa Conversión de Energía de AC/DC
