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Transistor de potencia Lorida GBJ2510 25A 1000V GBJ25A Rf 2Sc2879 Transistores Igbt Mosfet Transistor GBJ2510

Shenzhen Lorida Technology Co., Ltd. Proveedor multi-especialidad 2 yrs CN
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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
GBJ2510
Tipo
IGBT Transistor
Marca
original
Tipo de paquete
Agujero de labranza

Otros atributos

Tipo de montaje
Estándar
Descripción
Estándar
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
Estándar
Tipo
Estándar
Temperatura de funcionamiento
Estándar
Serie
Estándar
Uso
Interruptor de potencia de circuitos
Tipo de Proveedor
Fabricante original, Otros
Referencia cruzada
Pls en contacto con los nuestros
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, Otros
品名
Estándar
Uso
Comunicación/Electrónica/Iluminación
Certificado
RoHS
Envío POR
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
Calidad
100% original 100% marca
Servicio
24 horas en línea
Pago
Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
Paquete/caso
Embalaje estándar del carrete/de la caja del componente electrónico
Proporcionar
Servicio de lista BOM de ventanilla única
Entregar tiempo
3-5 días laborables
Palabras clave
Transistor

Embalaje y entrega

Paquete
Embalaje de cartón estándar de exportación Lorida GBJ2510 25A 1000V GBJ25A RF transistor de potencia 2sc2879 transistores IGBT MOSFET transistor GBJ2510
Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
10X10X10 cm
Peso bruto único:
1.000 kg

Plazo de entrega

Descripciones de productos del proveedor

10 - 99 piezas
EUR 0.0976
100 - 9999 piezas
EUR 0.0781
>= 10000 piezas
EUR 0.0683

Variaciones

Opciones totales:
Selecciona ahora

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