Mosfet Jeking 160N10T, 100V, 160A, 220, IXTP160N10T
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Atributos clave
Especificación esencial de la industria
Número de Modelo
IXTP160N10T
Tipo
IGBT Transistor
Marca
original brand
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Otros atributos
Descripción
Transistor
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-220-3
d/c
-
Uso
-
Referencia cruzada
-
Corriente de colector (Ic) (máx.)
-
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
-
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
-
Corriente de colector de corte (Max)
-
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
-
Poder-Max
-
-Frecuencia de transición
-
Tipo de Montaje
A través del agujero
Resistencia Base (R1)
-
Resistencia-emisor Base (R2)
-
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
160A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
7mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250uA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
132nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
6600pF @ 25V
Frecuencia
-
Corriente nominal (en amperios)
-
Ruido
-
Potencia de salida
-
-Tensión nominal
-
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 30V
Tipo IGBT de
-
Configuración
-
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
-
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
-
De entrada
-
Termistor NTC
-
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
-
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
-
Corriente de drenaje (Id).
-
-Tensión de corte (VGS) @ Id
-
Resistencia-On (RDS)
-
Tensión de salida-salida
-
-Tensión Offset (Vt)
-
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
-
Corriente de Valle Iv)
-
Corriente de pico
-
Número de parte
IXTP160N10T
Descripción
MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Tipo de FET
Canal N
Voltaje de drenaje a fuente
100V
Corriente @ 25 °C
160A (Tc)
Vgs (TH) (Max) @ Id
4,5 V @ 250uA
Puerta de carga @ Vgs
132nC @ 10V
Capacitancia de entrada @ Vds
4,5 V @ 250uA
Disipación de potencia (Max)
430W (Tc)
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Plazo de entrega
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