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MOSFET IXFT28N50Q, 500V, 28A, TO268, TO-268-3, 1, 2, 1, 1, 1, 2, 1, 1, 2, 1, 1, 1, 2, 1, 1, 2, 1, 1, 2, 1, 2

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo
IXFT28N50Q
Tipo
MOSFET
Marca
original
Tipo de paquete
TO-268AA

Otros atributos

Tipo de montaje
Surface Mount
Descripción
MOSFET N-CH 500V 28A TO268
Lugar del origen
Mexico
PAQUETE/cubierta
TO-268-3
Temperatura de funcionamiento
-40~170℃
d/c
NEW
Uso
Controlador MOSFET
Tipo de Proveedor
Fabricante original
Los medios disponibles
Hoja de Datos
品名
MOSFET
Corriente de colector (Ic) (máx.)
N/A
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max)
N/A
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
N/A
Corriente de colector de corte (Max)
N/A
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
N/A
Poder-Max
N/A
-Frecuencia de transición
N/A
Temperatura de funcionamiento
-55~170℃
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Resistencia Base (R1)
N/A
Resistencia-emisor Base (R2)
N/A
FET tipo
N/A
FET característica
N/A
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
500 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
N/A
Vgs (th) (Max) @ Id
N/A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
N/A
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
N/A
Frecuencia
N/A
Corriente nominal (en amperios)
N/A
Ruido
N/A
Potencia de salida
375W (Tc)
-Tensión nominal
N/A
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
N/A
Tipo IGBT de
N/A
Configuración
Solo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
N/A
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
N/A
De entrada
N/A
Termistor NTC
N/A
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
N/A
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
N/A
Corriente de drenaje (Id).
N/A
-Tensión de corte (VGS) @ Id
N/A
Resistencia-On (RDS)
N/A
Tensión
N/A
Tensión de salida-salida
N/A
-Tensión Offset (Vt)
N/A
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
N/A
Corriente de Valle Iv)
N/A
Corriente de pico
N/A
Aplicaciones
N/A
Tipo de Transistor
N/A

Embalaje y entrega

Unidades de venta:
Un solo artículo
Tamaño de paquete único:
22X22X5 cm
Peso bruto único:
1.000 kg

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