Transistores epitaxiales de silicona NPN C2383 2sc2383 2sc2383 1A 160V

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Shenzhen Futian District Jin Dapeng Electronic Firm 5 yrs

CN

Transistores epitaxiales de silicona NPN C2383 2sc2383 2sc2383 1A 160V

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Atributos clave

Especificación esencial de la industria

Número de Modelo

2SC2383

Tipo

Bipolar (BJT) Transistor

Marca

JDP/Original Brand

Tipo de paquete

/

Otros atributos

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

A-92

d/c

19 + 20 +

Uso

TV color vertical Clase B salida de sonido

Tipo de Proveedor

Fabricante original, ODM, Agencia

Los medios disponibles

Hoja de Datos, Foto

品名

Pequeño transistor de potencia

Temperatura de funcionamiento

150 °C (TJ)

Tipo de Montaje

A través del orificio

Categoría

Transistores Bipolar (BJT) -solo

Paquete

A granel

Tipo de Transistor

NPN

Vce de saturación (Max) @ Ib Ic

1,5 V @ 50mA... 500mA

Corriente de colector de corte (Max)

1UA (ICBO)

PAQUETE/cubierta

-226-3 a-92-3 de cuerpo

Poder-Max

900mW

Embalaje y entrega

Puerto

shenzhen

Unidades de venta:

Un solo artículo

Tamaño de paquete único:

19X10X10 cm

Peso bruto único:

0.001 kg

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